7 References

1

S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices (Springer-Verlag, Wien, 1984).

2

W. Shockley and W.T. Read, Jr., Phys. Rev. 87, 835 (1952).

3

M. Koopmans and L.J.A. Koster, Sol. RRL 2200560 (2022).

4

C. Snowden, Introduction to Semiconductor Device Modelling (World Scientific, Singapore, 1986).

5

M. Gruber, B.A. Stickler, G. Trimmel, F. Schürrer, and K. Zojer, Org. Electron. 11, 1999 (2010).

6

L. Krückemeier, B. Krogmeier, Z. Liu, U. Rau, and T. Kirchartz, Adv. Energy Mater. 11, 2003489 (2021).

7

O.W. Purbo, D.T. Cassidy, and S.H. Chrisholm, J. Appl. Phys. 66, 5078 (1989).

8

G.F. Burkhard, E.T. Hoke and M.D. McGehee, Adv. Mater. 22, 3293 (2010).

9

L.A. Petterson, L.A. Roman and O. Inganäs, J. Appl. Phys. 86, 487 (1999).

10

P. Peumans, A. Yakimov and S.R. Forrest, J. Appl. Phys. 93, 3693 (2003).

11

A.H. Marshak, Solid State Electron. 30, 1089 (1987).

12

V. D. Mihailetchi, L. J. A. Koster, J. C. Hummelen, and P. W. M. Blom, Phys. Rev. Lett. 93, 216601 (2004).

13

L. J. A. Koster, E. C. P. Smits, V. D. Mihailetchi, and P. W. M. Blom, Phys. Rev. B 72, 085205 (2005).

14

C. L. Braun, J. Chem. Phys. 80, 4157 (1984).

15

H. K. Gummel, IEEE Trans. Electron Devices 11, 455 (1964).